二、电路板的腐蚀成形
腐蚀是指将描绘好线路的敷铜板放入腐蚀液中腐蚀去多余的铜箔部分,终形成电路板。常用的电路板腐蚀成形方法有以下几种。
1.---化铁溶液腐蚀法
(1)取一只能够容纳电路板的耐腐蚀容器,例如塑料小盆,放入适量的---化铁(一般为固体),并加入2至3倍的水,以能够完全淹没需腐蚀的敷铜板为准。---化铁与水的配比没有严格要求,浓度高一些则腐蚀速度快一些。
(2)将描绘好线路的敷铜板投入---化铁溶液中,废料镀金回收,敷铜板上没有被覆盖的铜箔部分即会逐渐被腐蚀掉,如下图所示。为了加快腐蚀速度,镀金回收,可以晃动容器使---化铁溶液流动。
(3)腐蚀过程中要注意观察,只要的铜箔已被腐蚀干净,阿勒泰地区镀金,就应及时将敷铜板取出,并用清水冲洗干净,以防腐蚀过度。
大多数蓝宝石基板厂家为了追求稳定性,多采用日本的研磨机台以及原厂的多晶钻石液。但是随着成本压力的升高以及国内耗材水准的提升,目前国内的耗材产品已经可以替代原厂产品,并且---降低成本。
说到多晶钻石液不妨多说两句,对于多晶钻石液的微粉部分,镀金回收价格,一般要求颗粒度要集中,形貌要规整,这样可以提供---的切削力且表面刮伤比较均匀。国内可以生产多晶钻石微粉的厂家有北京国瑞升和四川久远,而国瑞升同时可以自己生产钻石液,因此在品质与成本上具有较大优势。美国的diamond innovation近推出了“类多晶钻石” ,实际是对普通单晶钻石的一种改良,虽然比较坚固的结构能提供较高的切削力,但是同时也更容易造成较深的刮伤。
4. 抛光:多晶钻石虽然造成的刮伤明显小于单晶钻石,但是仍然会在蓝宝石表面留下明显的刮伤,因此还会经过一道cmp抛光,去除所有的刮伤,留下的表面。cmp工艺原本是针对矽基板进行平坦化加工的一种工艺,现在对蓝宝石基板同样适用。经过cmp抛光工艺的蓝宝石基板在经过层层检测,达到合格准的产品就可以交给外延厂进行磊晶了。
按硅片直径划分:
硅片直径主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸(300mm),目前已发展到18英寸(450mm)等规格。直径越大,在一个硅片上经一次工艺循环可制作的集成电路芯片数就越多,每个芯片的成本也就越低。因此,直径硅片是硅片制各技术的发展方向。但硅片尺寸越大,对微电子工艺设各、材料和技术的要求也就越高。
按单晶生长方法划分:
直拉法制各的单晶硅,称为cz硅(片);磁控直拉法制各的单晶硅,称为mcz硅(片);悬浮区熔法制各的单晶硅,称为fz硅(片);用外延法在单晶硅或其他单晶衬底上生长硅外延层,称为外延(硅片)。
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