多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
在这个逆变器设计中，+20v电源首先用来推动微型处理器，并且管理不同的电路。有关代码的实现，这个逆变器解决方案中采用的8位微型控制器pic18f1320会为igbt驱动器产生信号，由此提供用来驱动igbt的信号。以---高电压ic工艺过程 (g5 hvic)以及锁存cmos技术的栅极驱动器集成高电压转换和终端技术，使驱动器能够从微型控制器的低电压输入产生适当的栅极驱动信号。有关的逻辑输入与标准cmos或lsttl输出相容，逻辑电压可低至3.3v。
速二极管d1和d2提供路径来把电容器c2及c3充电，并且---高侧驱动器获得正确的动力。图3描绘出相关的输出波形。如图所示，在正输出半周期内，高侧igbt q1经过正弦pwm调制，但低侧q4就保持开通状况。同样地，在负输出半周期内，高侧q2经过正弦pwm调制，而低侧q3则保持开通状况。这种开关技术在输出lc滤波器之后，于电容器c4的两端提供60hz交流正弦波。
太阳能光伏逆变器
逆变器可采用若干种拓扑结构。其中之一是使用h桥驱动的线性变压器。这是、的方式，它可提供电网和直流前端之间的完全隔离。它还---了直流电流进入电网的这种应尽力避免的情况发生。不过，线性变压器---的功率损耗会导致低效率，这是这种拓扑结构的缺点；线性变压器的大个头和重量，也是该拓扑的缺陷。
利用输出电感取代笨重的线性变压器是另一种拓扑结构。这种方法在所有拓扑中的效率；与采用线性变压器的逆变器相比，因输出电感的体积小，所以这种逆变器要轻得多、也更具成本效益。但其缺点是，不会在电网和光伏电池板间提供任何形式的电气隔离。一些---条例严格的是不允许使用此类逆变器的。
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