多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，路灯拆卸光伏板发电板多少钱，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
ic1的5脚外接电容c4(472)和6脚外接电阻r7(4k3)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (0.0047×4.3)khz≈50khz。即电路中的三极管vt1、vt2、vt3、vt4、变压器t1的工作频率均为50khz左右，因此t1应选用高频铁氧体磁芯变压器，变压器t1的作用是将12v脉冲升压为220v的脉冲，其初级匝数为20×2，次级匝数为380。
ic2的5脚外接电容c8(104)和6脚外接电阻r14(220k)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (c8×r14)=1.1÷(0.1×220)khz≈50hz。
r29、r30、r27、c11、vdz2组成xac插座220v输出端的过压保护电路，当输出电压过高时将导致稳压管vdz2击穿，使ic2的4脚对地电压上升，芯片ic2内的保护电路动作，切断输出。
车载逆变器电路中的mos管vt2、vt4有一定的功耗，必须加装散热片，其他器件均不需要安装散热片。当车载逆变器产品持续应用于功率较大的场合时，需在其内部加装12v小风扇以帮助散热。
供电电源
诸如不间断电源（ups）之类的功率补偿设备-恒定频率和电压ac的连续生成
静态逆变器（siv）飞机机械，如在工厂中，用于服务器，个人计算机的备用电源装置，例如，在用于汽车用电力转换12v电源使用的100v设备适合于家庭使用，太阳能发电在功率调节器，等等。
放电灯镇流器荧光灯高频照明照明灯具，液晶显示器的背光灯中使用的冷阴极管等进行的照明，但发光效率是---的可节省功率并
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