电池组件-振鑫焱回收-回收实验板电池组件

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    2020-12-12

孟先生
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太阳电池片标准

振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,回收电池组件公司,拆装,人造板,层压板,---限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债---,返修,太阳能发电控制模块收购等。 

3、界定 

3.1钝性豁口豁口样子展现为沿边沿轻缓衔接,并不是向管理中心深层次的情况。 

3.2v形豁口豁口样子展现为向管理中心锐利深层次的样子,相近英文字母“v”。 

4、规定 

4.1设计方案和构造4.1.1pcb原材料充电电池的pcb原材料就是指单晶硅片或多晶硅片,应合乎有关标准的要求。 

4.1.2电级 

4.1.2.1电级图型详细电级图型规格及样子应产成品详尽标准中要求。4.1.2.2电级应无掉色状况(如---橡胶造成的掉色)。4.1.2.3电级的导电率应产成品详尽标准中要求。

4.1.2.4电级的可焊性应产成品详尽标准中要求。 

4.1.3铝背场4.1.3.1选用铝背场总体设计的充电电池,因为反面铝膜造成的充电电池弯折形变应产成品的详尽标准中要求。 

4.1.3.2反面铝膜与pcb原材料的粘附抗压强度应产成品的详尽标准中要求。 

4.1.3.3反面铝膜的突起高宽比应产成品详尽标准要求。铝膜图型详细,图型偏移应产成品详尽标准中要求。

4.1.3.4反面铝膜的导电率应产成品详尽标准中要求。 

4.1.4减反射膜选用减反射膜设计方案构造的充电电池,减反射膜与pcb原材料的粘附抗压强度选用5.1.4要求的方式 开展检验后,减反射膜不掉下来。 

4.1.5规格表1和表2要求了典型性充电电池的规格规定,别的充电电池的规格规格型号规定应产成品详尽标准中要求。




电池片各工序影响因素及异常情况

振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,2手,旧工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,---限结晶硅,回收实验板电池组件,多晶硅,单晶硅,试验板,负债---,返修,太阳能发电控制模块收购等。 

电池片各工艺流程危害要素及异常现象 

一回清理危害要素 

1.溫度 

溫度过高,先就是说ipa不太好---,溫度一高,ipa的蒸发迅速,汽泡印就会随着出---,那样就---减少了pn结的合理总面积,反映加重,还会出---影片的飘浮,导致残片率的提升。可控性水平:调整设备的设定,能够---的调整溫度。 

2.時间金字塔式随時间的转变:金字塔式慢慢冒出;表层上基础被小金字塔式遮盖,少数刚开始成才;金字塔式满布的绒面早已产生,仅仅尺寸不匀称,透射率也降至较为低的状况;金字塔式向外扩大企业兼并,容积慢慢澎涨,回收工程拆卸电池组件,规格趋向平等,透射率略微降低。可控性水平:调整机器设备主要参数,能够---的调整時间。 

3.ipa1.帮助氡气的释放出来。2.变弱naoh水溶液对硅片的浸蚀幅度,调整各向系数。纯naoh水溶液在高溫下对分子排序较为---的100晶面和较为高密度的111晶面毁坏较为大,每个晶面被浸蚀而消溶,ipa---变弱naoh的浸蚀抗压强度,提升了浸蚀的各向---,有益于金字塔式的成型。酒精含水量过高,碱水溶液对硅水溶液浸蚀工作能力越来越太弱,各向---系数又趋向3。可控性水平:依据初次配液的含水量,及每一次大概耗费的量,来填补足量的液---,电池组件,线性度不高。




振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。


2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下,太阳电池在端电压为零时的输出电流,通常用 i sc 来表示。

将 pn 结短路( v=0 ),因而 if=0 ,这时所得的电流为短路电流 isc ,显然有: i sc =  i l   , i sc 与太阳电池的面积大小有关,面积越大,   i sc 越大。 i sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点,又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 v m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 i m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。   η = v m  i m  / a t

p in 其中 v m 和 i m 分别为大输出功率点的电压和电流, a t 为太阳电池的总面积, p in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比,通常用 ff 表示:   ff = i m v m / i sc v oc

i sc v oc 是太阳电池的---输出功率, i m v m 是太阳电池的大输出功率,填充因子是表征太阳电池---劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 c   ,太阳电池短路电流的变化值,通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池   α = +0.1%/ 0 c 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 c   ,太阳电池开路电压的变化值,通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池   β  = - 0.38%/ 0 c 。 






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