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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 : sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加---体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性---的各种化学基团,因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化( < 450 ℃ )。
2. 节省能源,降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
pe 设备有两类:平板式和管式。
按反应方式分为:直接式(岛津)和间接式( roth & rau )。
直接式:基片位于一个电极上,直接接触等离子体。
间接式:基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ,而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多,这对---生产尤其重要。
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太阳电池片标准
4.1.6 外观
电池的颜色应均匀一致,无明显的色差、水痕、手印等外观缺陷。
电池的崩边、钝性缺口等外形缺损的尺寸要求:长度不大于 1.5mm ,由边缘向中心的---不大于0.5mm ,同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过三处。同时不允许电池上有肉眼可见的裂纹以及 v 形缺口。
4.2 力学性能
4.2.1 弯曲变形
一般情况下,电池的弯曲变形用电池的弯曲度来衡量。不同尺寸规格的电池允许的大弯曲度应在产品详细规范中规定。
4.2.2 电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度
电极附着应牢固,电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度不小于1.22n/mm. 。
4.3 电性能
4.3.1 电性能参数的温度系数
应按照电池使用要求的温度范围,测量其电性能参数的温度系数。
4.3.2 电性能参数
电池电性能参数(包括低辐照度性能)应在产品详细规范中规定。
4.4 热循环试验
经 -40 °~ 85 °温度循环 5 次后,电池的外观,力学性能符合本标准规定的要求,电池的转换效率衰减不超过 3% 。
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六、 虚印:
1、 网版堵塞:用醇先擦一遍,再用干无尘布擦干;
2、 印刷刮刀条不平:更换刮刀条;
3、 网版不合格:更换网版;
4、 车间温度与湿度不合适:温度控制在22±2℃,湿度控制在50±3%;
5、 印刷参数不合格:调整印刷压力、印刷间隙与印刷速度
6、 工作台板不平,磨损---:检查更换工作台板;
7、 印---导轨不平:设备重新调整导轨;
七、 粗线:
1、 原硅片为线痕片:控制线痕原硅片;
2、 网版使用次数太多,张力不够:更换新网版。
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